જો ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં પ્રકાશની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ

$400 \, nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ $2.5 \, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ પર પડે ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું મહત્તમ રેખીય વેગમાન શોધો.

જ્યારે $4.0 \; eV$ ઉર્જા ધરાવતો ફોટોન ધાતુ $A$ ની સપાટી પર અથડાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $T_{A} \; eV$ અને ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda_{A}$ છે. $4.50 \; eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન દ્વારા બીજી ધાતુ $B$ માંથી મુક્ત થતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $T_{B} = (T_{A} - 1.5) \; eV$ છે. જો આ ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda_{B} = 2 \lambda_{A}$ હોય,તો ધાતુ $B$ નું કાર્ય વિધેય ............. $eV$ છે.

$3.4 \ eV$ ઉર્જા ધરાવતો ફોટોન $2 \ eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ પર આપાત થાય છે. ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઉર્જા $(K.E.)$ ........... $eV$ જેટલી હોય છે. ($eV$ માં)

હાઇડ્રોજન પરમાણુની પાશ્ચન શ્રેણીનો પ્રકાશ ધાતુમાંથી ફોટોઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત કરવા માટે સક્ષમ છે. તો ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) કેટલું હશે?

એક ધાતુની સપાટી પર $400 \ nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા $1.68 \ eV$ માલૂમ પડે છે. તો ધાતુનું કાર્ય વિધેય ............ $eV$ છે $(hc = 1240 \ eV \ nm)$.