यदि सेल का आंतरिक प्रतिरोध नगण्य है,तो परिपथ में प्रवाहित होने वाली धारा है: ($A$ में)

  • A
    $0.04$
  • B
    $0.06$
  • C
    $0.08$
  • D
    $0.10$

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$PN-$जंक्शन डायोड की फॉरवर्ड बायस व्यवस्था में:

जब एक $p-n$ जंक्शन पर फॉरवर्ड बायस लगाया जाता है, तो यह . . . . . . ।

$Ge$ और $Si$ डायोड क्रमशः $0.3\,V$ और $0.7\,V$ पर चालन शुरू करते हैं। निम्नलिखित आकृति में,यदि $Ge$ डायोड का कनेक्शन उलट दिया जाए,तो $V_0$ का मान कितने से बदल जाएगा: ...... $V$ (मान लें कि $Ge$ डायोड का ब्रेकडाउन वोल्टेज बहुत अधिक है)।

Difficult
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एक डायोड को चित्र में दिखाए अनुसार एक प्रतिरोध $R$ के साथ समानांतर में जोड़ा गया है। सबसे संभावित धारा $(I)$ - वोल्टेज $(V)$ अभिलक्षण क्या है?

एक फॉरवर्ड बायस्ड $p-n$ जंक्शन डायोड में,डिप्लीशन क्षेत्र में विभव प्राचीर (potential barrier) किस रूप में होगा?

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