જો અર્ધવાહકનું તાપમાન વધારવામાં આવે,તો નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?
- Aતેનો અવરોધ વધે છે
- Bવેલેન્સ બેન્ડમાં ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા વધે છે
- Cકન્ડક્શન બેન્ડમાં ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા વધે છે
- Dવેલેન્સ બેન્ડમાં હોલ્સની સંખ્યા ઘટે છે
Explore More
Similar Questions
નીચેની આકૃતિમાં ત્રણ અલગ-અલગ અર્ધવાહકો માટે બેન્ડ ડાયાગ્રામ દર્શાવેલ છે. ડાબેથી જમણે શરૂ કરીને,તેઓ કયા પ્રકારના અર્ધવાહકોનું પ્રતિનિધિત્વ કરે છે તે ઓળખો.
Easy
View Solutionવિદ્યુતના સારા વાહકોમાં કયા પ્રકારનું બંધન જોવા મળે છે?
$Ge$ માં ફોરબિડન એનર્જી ગેપ $0.72 eV$ છે. આપેલ છે કે $hc = 12400 eV-Å$. ઇલેક્ટ્રોન-હોલ જોડી ઉત્પન્ન કરી શકે તેવા વિકિરણની મહત્તમ તરંગલંબાઇ કેટલી હશે ($Å$ માં)?
તાંબાનો એક ટુકડો અને જર્મેનિયમનો એક ટુકડો ઓરડાના તાપમાનથી $80 \text{ K}$ સુધી ઠંડા કરવામાં આવે છે. તો નીચેનામાંથી કયું સાચું છે?
યાદી $I$ ને યાદી $II$ સાથે જોડો:
યાદી $I$ યાદી $II$ $A$. શુદ્ધ (Intrinsic) સેમિકન્ડક્ટર $I$. ફર્મી-લેવલ કન્ડક્શન બેન્ડની નજીક $B$. $n$-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટર $II$. ફર્મી-લેવલ મધ્યમાં $C$. $p$-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટર $III$. ફર્મી-લેવલ વેલેન્સ બેન્ડની નજીક $D$. ધાતુઓ $IV$. ફર્મી-લેવલ કન્ડક્શન બેન્ડની અંદર
નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો:
| યાદી $I$ | યાદી $II$ |
| $A$. શુદ્ધ (Intrinsic) સેમિકન્ડક્ટર | $I$. ફર્મી-લેવલ કન્ડક્શન બેન્ડની નજીક |
| $B$. $n$-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટર | $II$. ફર્મી-લેવલ મધ્યમાં |
| $C$. $p$-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટર | $III$. ફર્મી-લેવલ વેલેન્સ બેન્ડની નજીક |
| $D$. ધાતુઓ | $IV$. ફર્મી-લેવલ કન્ડક્શન બેન્ડની અંદર |
નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો:
Vedclass Products
For Students
Vedclass Test Series
Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.
Start Free TrialFor Teachers
Exam Paper Generator
Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.
Try FreeFor Institutes
Online Exam Module
Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.
See Demo