જો $n_e$ અને $v_d$ એ અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા અને ડ્રિફ્ટ વેગ હોય, તો તાપમાન વધારવામાં આવે ત્યારે શું થાય?

જ્યારે અર્ધવાહકની વાહકતા માત્ર સહસંયોજક બંધ તૂટવાને કારણે હોય,ત્યારે તે અર્ધવાહકને શું કહેવામાં આવે છે?

$N$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર માટે નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

ધારો કે એક શુદ્ધ $Si$ સ્ફટિકમાં $5 \times 10^{28}$ પરમાણુઓ $m^{-3}$ છે. તેને $1$ ppm સાંદ્રતા ધરાવતા પેન્ટાવેલેન્ટ $As$ વડે ડોપ કરવામાં આવે છે. હોલ્સની સંખ્યાની ગણતરી કરો. આપેલ છે કે $n_i = 1.5 \times 10^{16} m^{-3}$.

આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં વિદ્યુત વહન કેવી રીતે ઉત્પન્ન થાય છે?

શુદ્ધ સિલિકોનના સેમ્પલમાં $10^{13} \text{ atoms/cm}^3$ ફોસ્ફરસ ઉમેરવામાં આવે છે. જો બધા ડોનર અણુઓ સક્રિય હોય અને ઈલેક્ટ્રોનની મોબિલીટી $1200 \text{ cm}^2/\text{V}\cdot\text{s}$ હોય, તો $20^\circ\text{C}$ તાપમાને અવરોધકતા $\Omega\cdot\text{cm}$ માં કેટલી હશે?