$n-p-n$ ट्रांजिस्टर में, $CE$ विन्यास में:

एक कॉमन एमिटर ट्रांजिस्टर एम्पलीफायर में, $AC$ करंट गेन $65$ है, लोड प्रतिरोध $5400 \text{ }\Omega$ है और ट्रांजिस्टर का इनपुट प्रतिरोध $450 \text{ }\Omega$ है। वोल्टेज गेन है

ट्रांजिस्टर एम्पलीफायर में, बेस-एमिटर जंक्शन फॉरवर्ड बायस्ड होता है और कलेक्टर-बेस जंक्शन रिवर्स बायस्ड होता है। करंट गेन $(\beta)$ को इस प्रकार परिभाषित किया जाता है:

$n-p-n$ ट्रांजिस्टर संरचना के लिए, निम्नलिखित में से कौन सा कथन सत्य नहीं है?

चित्र में दिखाए गए परिपथ में,एक $npn$ ट्रांजिस्टर के लिए धारा लाभ (current gain) $\beta = 100$ है। यदि $V_{BE} = 0 \text{ V}$ है,तो $V_{CE} = 5 \text{ V}$ प्राप्त करने के लिए बेस प्रतिरोधक $R_B$ का मान क्या होना चाहिए?

$CE$ ट्रांजिस्टर एम्पलीफायर के लिए,$2 \, k\Omega$ के कलेक्टर प्रतिरोध पर ऑडियो सिग्नल वोल्टेज $4 \, V$ है। यदि ट्रांजिस्टर का करंट एम्पलीफिकेशन फैक्टर $(\beta)$ $100$ है और बेस प्रतिरोध $1 \, k\Omega$ है,तो इनपुट सिग्नल वोल्टेज ....... $mV$ है।