ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં,સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ વિરુદ્ધ તરંગલંબાઈનો વ્યસ્ત $(1/\lambda)$ નો આલેખ આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે. જેમ આપાત વિકિરણની તીવ્રતા વધારવામાં આવે તેમ:

જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જો આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈમાં $50 \%$ નો ઘટાડો કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા પ્રારંભિક મહત્તમ ગતિઊર્જા કરતા $3$ ગણી થાય છે. પદાર્થનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) શોધો ($h$ - પ્લાન્કનો અચળાંક,$c$ - શૂન્યાવકાશમાં પ્રકાશની ઝડપ).

સીઝિયમનું વર્ક ફંક્શન $2.14 \ eV$ છે. જો $0.60 \ V$ ના સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ દ્વારા ફોટોકરંટને શૂન્ય કરવામાં આવે,તો આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ શોધો. (જવાબ $nm$ માં)

એક પદાર્થનું કાર્ય વિધેય (work function) $3.0 \ eV$ છે. આ પદાર્થમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરી શકે તેવા પ્રકાશની સૌથી લાંબી તરંગલંબાઈ આશરે કેટલી હશે ($nm$ માં)?

એક ધાતુની સપાટી પરથી આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિઓ ${\nu _1}$ અને ${\nu _2}$ $({\nu _1} > {\nu _2})$ માટે ફોટોઇલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન જોવા મળે છે. જો બંને કિસ્સામાં ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર $1:k$ હોય,તો ધાતુની સપાટીની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી હશે?

સીઝિયમની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ $5.16 \times 10^{14} \ Hz$ છે. તો તેનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) . . . . . . $eV$ છે.