ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,$Y$-અક્ષ પર સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ અને $X$-અક્ષ પર આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ લઈને આલેખ દોરવામાં આવે છે. જો આલેખ એક સીધી રેખા હોય જે $Y$-અક્ષ સાથે $\theta$ ખૂણો બનાવે છે,તો $\tan \theta=$ ($h$-પ્લાન્કનો અચળાંક,$e$-ઈલેક્ટ્રોનનો વીજભાર).

$1.07 \ eV$ વર્કફંકશન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર $332 \ nm$ તરંગલંબાઈવાળું વિકિરણ આપાત કરવામાં આવે છે. ધાતુની સપાટીમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રૉનનું ઉત્સર્જન અટકાવવા માટે જરૂરી સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ ............ $V$ છે. $(h = 6.6 \times 10^{-34} \ Js, c = 3 \times 10^8 \ m/s, 1 \ eV = 1.6 \times 10^{-19} \ J)$

ધારો કે ફોટોઇમિશન થાય છે,જ્યારે આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઇ ચાર ગણી કરવામાં આવે ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગમાં થતો ફેરફાર કયા અવયવ દ્વારા થાય છે?

હાઇડ્રોજન પરમાણુમાં ઇલેક્ટ્રોન ઉત્તેજિત અવસ્થા $(n = 3)$ થી તેની ધરા અવસ્થા $(n = 1)$ માં કૂદકો મારે છે અને આમ ઉત્સર્જિત ફોટોન પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થ પર આપાત થાય છે. જો પદાર્થનું કાર્ય વિધેય $5.1 \, eV$ હોય,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું હશે ($, V$ માં)? ($n$ મી અવસ્થામાં ઇલેક્ટ્રોનની ઉર્જા $E_n = \frac{-13.6}{n^2} \, eV$)

મર્ક્યુરી લેમ્પ ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જનની આવૃત્તિ પરની નિર્ભરતાનો અભ્યાસ કરવા માટે એક અનુકૂળ સ્ત્રોત છે,કારણ કે તે $UV$ થી દ્રશ્યમાન વર્ણપટના લાલ છેડા સુધીની ઘણી વર્ણપટ રેખાઓ આપે છે. રુબિડિયમ ફોટોસેલ સાથેના અમારા પ્રયોગમાં,મર્ક્યુરી સ્ત્રોતની નીચેની રેખાઓનો ઉપયોગ કરવામાં આવ્યો હતો:
$\lambda_1 = 3650 \,\mathring{A}, \lambda_2 = 4047 \,\mathring{A}, \lambda_3 = 4358 \,\mathring{A}, \lambda_4 = 5461 \,\mathring{A}, \lambda_5 = 6907 \,\mathring{A}$
તેમના અનુરૂપ સ્ટોપિંગ વોલ્ટેજ નીચે મુજબ માપવામાં આવ્યા હતા:
$V_{01} = 1.28 \,V, V_{02} = 0.95 \,V, V_{03} = 0.74 \,V, V_{04} = 0.16 \,V, V_{05} = 0 \,V$
પ્લાન્કનો અચળાંક $h$,થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ અને પદાર્થ માટે વર્ક ફંક્શનનું મૂલ્ય નક્કી કરો.

સૂર્યની છબી $30 \ cm$ કેન્દ્રલંબાઈ ધરાવતા લેન્સ દ્વારા ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલની ધાતુની સપાટી પર બનાવવામાં આવે છે અને ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ $I$ ઉત્પન્ન થાય છે. છબી બનાવતા લેન્સને સમાન વ્યાસ પરંતુ $15 \ cm$ કેન્દ્રલંબાઈ ધરાવતા બીજા લેન્સ દ્વારા બદલવામાં આવે છે. આ કિસ્સામાં ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ કેટલો હશે?