ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,જો આપાત પ્રકાશની તીવ્રતા બમણી કરવામાં આવે અને આવૃત્તિ થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કરતા થોડી વધારે રાખવામાં આવે,તો સંતૃપ્ત ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ

જ્યારે પ્રકાશનો એકવર્ણી બિંદુવત સ્ત્રોત ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલથી $0.2\, m$ અંતરે હોય,ત્યારે કટ-ઓફ વોલ્ટેજ અને સેચ્યુરેશન કરંટ અનુક્રમે $0.6\, V$ અને $18.0\, mA$ છે. જો તે જ સ્ત્રોતને ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલથી $0.6\, m$ દૂર મૂકવામાં આવે,તો

એક ફોટોસેલના કૅથોડના દ્રવ્યને એવી રીતે બદલવામાં આવે છે કે જેથી કૅથોડની સપાટીના દ્રવ્યનું વર્કફંકશન $W_1$ થી બદલાઈને $W_2$ થાય છે. $(W_2 > W_1)$. જો કૅથોડની સપાટી બદલ્યા પહેલા અને પછી ઉદભવતા ફોટોઈલેક્ટ્રૉન પ્રવાહ અનુક્રમે $I_1$ અને $I_2$ હોય તથા $hf > W_2$ હોય,તો:

એનોડ પોટેન્શિયલ સાથે ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહમાં થતો ફેરફાર નીચે દર્શાવેલ છે. સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો ($V_0$ = સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ).

ધાતુના વર્ક ફંક્શન $(\phi_o)$ અને તેના તાપમાન $(T)$ વચ્ચેનો આલેખ કેવો હશે?

ફોટો ઈલેક્ટ્રિક અસરમાં,ધાતુની સપાટી પરથી ઈલેક્ટ્રોન ત્યારે જ ઉત્સર્જિત થાય છે જ્યારે આપાત પ્રકાશ પાસે ચોક્કસ ન્યૂનતમ . . . . . . હોય.