શુદ્ધ સિલિકોનમાં, એકમ કદ દીઠ ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સંખ્યા $1.6 \times 10^{16} \,m^{-3}$ છે. જો સિલિકોનમાં બોરોનનું ડોપિંગ એવી રીતે કરવામાં આવે કે જેથી હોલની ઘનતા વધીને $4 \times 10^{22} \,m^{-3}$ થાય, તો ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટરમાં ઇલેક્ટ્રોનની ઘનતા કેટલી હશે?

• A
  $6.4 \times 10^{-9} \,m^{-3}$
• B
  $6.4 \times 10^9 \,m^{-3}$
• C
  $6.4 \times 10^{-10} \,m^{-3}$
• D
  $6.4 \times 10^{10} \,m^{-3}$