એક $n-p-n$ ટ્રાન્ઝિસ્ટર સર્કિટમાં,કલેક્ટર પ્રવાહ $10 \text{ mA}$ છે. જો ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનમાંથી $95\%$ ઇલેક્ટ્રોન કલેક્ટર સુધી પહોંચતા હોય,તો બેઝ પ્રવાહ આશરે કેટલો હશે ($mA$ માં)?

$n-p-n$ ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાં,$CE$ કોન્ફિગરેશનમાં:

એક ટ્રાન્ઝિસ્ટર જેનો $\beta$ $80$ છે, તેમાં બેઝ કરંટમાં $250 \mu A$ નો ફેરફાર થાય છે, તો કલેક્ટર કરંટમાં થતો ફેરફાર કેટલો હશે?

ટ્રાન્ઝિસ્ટર માટે એક્ટિવ રિજન (active region) માં:
$(a)$ બેઝ,એમિટર અને કલેક્ટર વિભાગો સમાન કદ અને ડોપિંગ સાંદ્રતા ધરાવતા હોવા જોઈએ.
$(b)$ બેઝ વિભાગ ખૂબ જ પાતળો અને હળવો ડોપ્ડ હોવો જોઈએ.
$(c)$ એમિટર-બેઝ જંકશન ફોરવર્ડ બાયસ અને બેઝ-કલેક્ટર જંકશન રિવર્સ બાયસ હોવું જોઈએ.
$(d)$ એમિટર-બેઝ જંકશન અને બેઝ-કલેક્ટર જંકશન બંને ફોરવર્ડ બાયસ હોવા જોઈએ.
નીચેનામાંથી કઈ જોડી સાચી છે?

જ્યારે ટ્રાન્ઝિસ્ટરના ઇનપુટ પર સિગ્નલ આપવામાં આવે છે,ત્યારે જોવા મળે છે કે આઉટપુટ સિગ્નલ $180^{\circ}$ જેટલું ફેઝ-શિફ્ટ થાય છે. ટ્રાન્ઝિસ્ટરનું કન્ફિગરેશન કયું છે?

એક ટ્રાન્ઝિસ્ટરને કોમન એમિટર કોન્ફિગ્યુરેશનમાં $V_C = 2 \, V$ પર એવી રીતે ચલાવવામાં આવે છે કે બેઝ પ્રવાહમાં $100 \, \mu A$ થી $300 \, \mu A$ નો ફેરફાર કલેક્ટર પ્રવાહમાં $10 \, mA$ થી $20 \, mA$ નો ફેરફાર ઉત્પન્ન કરે છે. તો પ્રવાહ ગેઈન કેટલો હશે?