$n$-प्रकार के अर्धचालक में, फर्मी ऊर्जा स्तर स्थित होता है

एक आंतरिक (intrinsic) अर्धचालक में ऊर्जा अंतराल $E_{g}$,$1.2 \; eV$ है। इसकी होल गतिशीलता इलेक्ट्रॉन गतिशीलता से बहुत कम है और तापमान से स्वतंत्र है। $600 \; K$ और $300 \; K$ पर चालकता का अनुपात क्या है? मान लीजिए कि आंतरिक वाहक सांद्रता $n_{i}$ की तापमान निर्भरता $n_{i} = n_{0} \exp \left(-\frac{E_{g}}{2 k_{B} T}\right)$ द्वारा दी गई है,जहाँ $n_{0}$ एक स्थिरांक है।

जब किसी अर्धचालक की चालकता केवल सहसंयोजक बंधों के टूटने के कारण होती है, तो उस अर्धचालक को क्या कहा जाता है?

एक शुद्ध $Si$ क्रिस्टल में $4 \times 10^{28}$ परमाणु प्रति $m^3$ हैं। इसे $1 \text{ ppm}$ एंटीमनी की सांद्रता के साथ डोप किया जाता है। उपलब्ध मुक्त इलेक्ट्रॉनों की संख्या होगी

यदि एक अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों की सांद्रता और होल्स की सांद्रता का अनुपात $\frac{7}{5}$ है और धाराओं का अनुपात $\frac{7}{4}$ है,तो उनके अपवाह वेग (drift velocities) का अनुपात क्या है?

एक $Ge$ नमूने को $Al$ के साथ डोप किया गया है। स्वीकर्ता (acceptor) परमाणुओं की सांद्रता $10^{21} \text{ atoms}/m^3$ है। यदि इलेक्ट्रॉन-होल युग्मों की आंतरिक सांद्रता $10^{19} /m^3$ है, तो नमूने में इलेक्ट्रॉनों की सांद्रता क्या होगी?