एक बाह्य अर्धचालक (extrinsic semiconductor) में होल और इलेक्ट्रॉन का संख्या घनत्व क्रमशः ${N_p}$ और ${N_e}$ है। तो:

जर्मेनियम क्रिस्टल को $N$-प्रकार का अर्धचालक बनाने के लिए इसमें मिलाए जाने वाले अशुद्धि परमाणु की संयोजकता कितनी होती है?

शुद्ध $Ge$ के लिए आंतरिक वाहक घनत्व $10^{19} \ m^{-3}$ है। यदि $10^{23} \ m^{-3}$ घनत्व वाली दाता अशुद्धि मिलाई जाती है,तो होल घनत्व ($m^{-3}$ में) क्या होगा?

मान लीजिए कि ${n_h}$ और ${n_e}$ एक अर्धचालक में क्रमशः होल्स और चालन इलेक्ट्रॉनों की संख्या हैं। तो

एक $P$-प्रकार के अर्धचालक में एक्सेप्टर स्तर वैलेंस बैंड से $57 \; meV$ ऊपर है। एक होल बनाने के लिए आवश्यक प्रकाश की अधिकतम तरंगदैर्ध्य क्या है? (प्लांक नियतांक $h = 6.6 \times 10^{-34} \; J \cdot s$, प्रकाश की गति $c = 3 \times 10^8 \; m/s$)

एक $n$-प्रकार के अर्धचालक पर विचार करें जिसमें $n_e$ और $n_h$ क्रमशः इलेक्ट्रॉनों और होल्स की संख्या हैं।
$(A)$ होल्स अल्पसंख्यक वाहक हैं।
$(B)$ डोपेंट एक पंचसंयोजी (pentavalent) परमाणु है।
$(C)$ $n_e n_h \neq n_i^2$ (जहाँ $n_i$ अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों या होल्स की संख्या है जब वह अपने आंतरिक रूप में होता है)।
$(D)$ $n_e n_h \geq n_i^2$.
$(E)$ होल्स डोनर के कारण उत्पन्न नहीं होते हैं।
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