ઓરડાના તાપમાને અર્ધવાહકોમાં,

નીચેનામાંથી ખોટું વિધાન પસંદ કરો.

$C$, $Si$ અને $Ge$ સમાન લેટીસ બંધારણ ધરાવે છે. શા માટે $C$ અવાહક છે જ્યારે $Si$ અને $Ge$ શુદ્ધ (intrinsic) અર્ધવાહકો છે?

$0 \ K$ તાપમાને અર્ધવાહકોમાં સંયોજકતા પટ્ટો (valence band) ..... હોય છે.

અર્ધવાહક (semiconductor) માટે નીચેનામાંથી કયા વિધાનો સાચા છે?
$(i)$ $0\, K$ તાપમાને કોઈ મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન હોતા નથી.
$(ii)$ કોઈપણ તાપમાને મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન હોતા નથી.
$(iii)$ તાપમાન વધવાની સાથે મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા વધે છે.
$(iv)$ મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા વાહક (conductor) કરતા ઓછી હોય છે.

જર્મેનિયમ સ્ફટિક માટે ફોરબિડન એનર્જી ગેપની પહોળાઈ આશરે ....... $J$ હોય છે.