n-प्रकार के अर्धचालक की बैंड संरचना में, अशुद | vedclass

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Question

(C) $n$-प्रकार के अर्धचालक में, आंतरिक अर्धचालक में पंचसंयोजी (pentavalent) अशुद्धि परमाणु (जैसे फास्फोरस, आर्सेनिक, आदि) मिलाए जाते हैं। इन अशुद्धि प

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बैंड अंतराल (band gap) में और चालन बैंड के करीब।

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(C) $n$-प्रकार के अर्धचालक में, आंतरिक अर्धचालक में पंचसंयोजी (pentavalent) अशुद्धि परमाणु (जैसे फास्फोरस, आर्सेनिक, आदि) मिलाए जाते हैं। इन अशुद्धि परमाणुओं को दाता (donor) परमाणु कहा जाता है। प्रत्येक दाता परमाणु एक अतिरिक्त इलेक्ट्रॉन प्रदान करता है। ये दान किए गए इलेक्ट्रॉन दाता ऊर्जा स्तरों $(E_D)$ नामक असतत ऊर्जा स्तरों पर स्थित होते हैं। ये दाता ऊर्जा स्तर बैंड अंतराल के भीतर, चालन बैंड के किनारे $(E_C)$ के ठीक नीचे स्थित होते हैं। चूंकि ये चालन बैंड के बहुत करीब होते हैं, इसलिए ये इलेक्ट्रॉन कमरे के तापमान पर आसानी से चालन बैंड में उत्तेजित हो सकते हैं, जिससे विद्युत चालकता में योगदान मिलता है।

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अर्धचालक की प्रतिरोधकता $........$ पर निर्भर करती है।

कमरे के तापमान पर जर्मेनियम के ऊर्जा बैंड में वर्जित ऊर्जा अंतराल (forbidden energy gap) लगभग $......$ $eV$ होता है।

कुचालकों (insulators) की विद्युत चालकता होती है

विद्युत चालकता और प्रतिरोधकता के आधार पर ठोस पदार्थों का वर्गीकरण कीजिए।

$Ge$ और $Na$ की विद्युत चालकता क्रमशः $\sigma_1$ और $\sigma_2$ है। यदि इन पदार्थों को गर्म किया जाए,तो:

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