આપેલ પરિપથમાં,કોષ આદર્શ છે,જેનું $emf$ $=$ $15$ $V$ છે. દરેક અવરોધ $3$ $\Omega$ નો છે. કેપેસિટરના બે છેડા વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત.....$V$ છે.

પ્લેટો $A$ અને $B$ એક અલગ,ચાર્જ થયેલ સમાંતર-પ્લેટ કેપેસિટર બનાવે છે. $A$ અને $B$ ની અંદરની સપાટીઓ ($I$ અને $IV$) પર અનુક્રમે $+Q$ અને $-Q$ ચાર્જ છે. હવે $+Q$ ચાર્જ ધરાવતી ત્રીજી પ્લેટ $C$ ને $A$ અને $B$ ની વચ્ચે મૂકવામાં આવે છે. નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું નથી?

જો $100 \mu F$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા કેપેસિટરને $100 \mu C s^{-1}$ ના સ્થિર દરે ચાર્જ કરવામાં આવે,તો કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે $100 \ V$ નો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત ઉત્પન્ન કરવા માટે લાગતો સમય કેટલો હશે ($s$ માં)?

જો એક ઇલેક્ટ્રોન સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં પ્લેટો સાથે $\alpha$ ખૂણે પ્રવેશ કરે છે અને પ્લેટો સાથે $\beta$ ખૂણે બહાર નીકળે છે,તો કેપેસિટરમાં પ્રવેશતી વખતે તેની ગતિઊર્જા અને બહાર નીકળતી વખતે તેની ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

નીચે આપેલ પરિપથમાં $C_1 = 20 \, \mu F$,$C_2 = 40 \, \mu F$ અને $C_3 = 50 \, \mu F$ છે. જો કોઈ પણ કેપેસિટર $50 \, V$ થી વધુ વોલ્ટેજ સહન કરી શકતું ન હોય,તો $X$ અને $Y$ વચ્ચેનો મહત્તમ વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત .......... $V$ છે.

આપેલ પરિપથમાં $C_1=12 \mu F, C_2=C_3=4 \mu F$ અને $C_4=C_5=2 \mu F$ છે. $C_3$ માં સંગ્રહિત વિદ્યુતભાર . . . . . $\mu C$ છે.