આપેલ આકૃતિમાં, જ્યારે આદર્શ ડાયોડ $D$ ફોરવર્ડ બાયસમાં હોય ત્યારે બિંદુઓ $A$ અને $B$ વચ્ચેનો અવરોધ '$R_1$' છે અને જ્યારે આદર્શ ડાયોડ $D$ રિવર્સ બાયસમાં હોય ત્યારે તે '$R_2$' છે. ગુણોત્તર $R_1/R_2$ કેટલો થાય?

આકૃતિમાં એક સેમિકન્ડક્ટર ડાયોડના $I-V$ લાક્ષણિકતાઓ દર્શાવેલ છે. $V = -8 \text{ V}$ અને $I_{d} = 10 \text{ mA}$ પર ડાયોડનો અવરોધ અનુક્રમે કેટલો હશે?

$PN$-જંકશન ડાયોડમાં $27^\circ C$ તાપમાને રિવર્સ સેચ્યુરેશન કરંટ ${10^{-5}} \ A$ છે. $0.2 \ V$ ના વોલ્ટેજ માટે ફોરવર્ડ કરંટની ગણતરી કરો. આપેલ છે: $[\exp(7.62) = 2038.6, \ k_B = 1.4 \times {10^{-23}} \ J/K, \ e = 1.6 \times {10^{-19}} \ C]$.

નીચેની આકૃતિમાં દર્શાવેલ આદર્શ $PN-$ જંકશન ડાયોડમાંથી પસાર થતો પ્રવાહ કેટલો હશે? ($mA$ માં)

$X$ અને $Y$ બિંદુઓ વચ્ચે $5 \, V$ ની બેટરી જોડવામાં આવી છે. ધારો કે $D_{1}$ અને $D_{2}$ સામાન્ય સિલિકોન ડાયોડ છે. જો બેટરીનો ધન ટર્મિનલ $X$ બિંદુ સાથે જોડાયેલ હોય,તો બેટરી દ્વારા પૂરો પાડવામાં આવતો પ્રવાહ ($A$ માં) શોધો.

p-n જંકશન પર $0.4 \,V$ નો પોટેન્શિયલ બેરિયર અસ્તિત્વ ધરાવે છે. એક ઇલેક્ટ્રોન $n$-બાજુથી $6.0 \times 10^{5} \,ms^{-1}$ ની ઝડપે જંકશનમાં પ્રવેશે છે. જે ઝડપ સાથે ઇલેક્ટ્રોન $p$-બાજુમાં પ્રવેશશે તે $\frac{x}{3} \times 10^{5} \,ms^{-1}$ છે. $x$ નું મૂલ્ય ............. છે.
(આપેલ છે: ઇલેક્ટ્રોનનું દળ $= 9 \times 10^{-31} \,kg$,ઇલેક્ટ્રોન પરનો વિદ્યુતભાર $= 1.6 \times 10^{-19} \,C$.)