આપેલ પરિપથમાં,બેટરીમાંથી વહેતો પ્રવાહ $(I) ..........\,A$ હશે.

એક સેમિકન્ડક્ટર $p-n$ ડાયોડમાં, $p$-બાજુ અને $n$-બાજુ પર ડોપિંગ સાંદ્રતા અનુક્રમે $10^{15} \text{ atoms/cm}^3$ અને $10^{18} \text{ atoms/cm}^3$ છે. નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

બ્રેકડાઉન વોલ્ટેજ અને સેચ્યુરેશન કરંટ એટલે શું?

$P-N$ જંકશનમાં ડેપ્લેશન સ્તરની જાડાઈ $10^{-6} \ m$ છે અને પોટેન્શિયલ બેરિયર $0.1 \ V$ છે. તો વિદ્યુતક્ષેત્ર ($V/m$ માં) કેટલું હશે?

$p-n$ જંકશન ડાયોડમાં, ડેપ્લેશન રિજનમાં $2 \times 10^5 \ V/m$ ના મૂલ્યનું વિદ્યુતક્ષેત્ર અસ્તિત્વ ધરાવે છે. $-3e$ વીજભાર ધરાવતો કણ $n$-બાજુથી $p$-બાજુ તરફ પ્રસરણ કરી શકે છે, જો તેની પાસે ન્યૂનતમ ગતિઊર્જા $0.6 \ eV$ હોય. $p-n$ જંકશનના ડેપ્લેશન રિજનની પહોળાઈ કેટલી હશે ($nm$ માં)?

નીચેનામાંથી કયો સર્કિટ રિવર્સ-બાયસ્ડ (reverse-biased) છે?