ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરમાં જો પ્રકાશની તીવ્રતા બમણી કરવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી થશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં,$f$ એ ધાતુની સપાટી પર આપાત થતા વિકિરણોની આવૃત્તિ છે અને $I$ એ આપાત વિકિરણોની તીવ્રતા છે. નીચેના વિધાનો ધ્યાનમાં લો. કયા વિધાનો સાચા છે?
$(A)$ જો $I$ અને વર્ક ફંક્શન અચળ રાખીને $f$ વધારવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા વધે છે.
$(B)$ જો કેથોડ અને એનોડ વચ્ચેનું અંતર વધારવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ વધે છે.
$(C)$ જો $f$ અને વર્ક ફંક્શન અચળ રાખીને $I$ વધારવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ સમાન રહે છે અને સેચ્યુરેશન કરંટ વધે છે.
$(D)$ જો $f$ અને $I$ અચળ રાખીને વર્ક ફંક્શન ઘટાડવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ વધે છે.

જ્યારે $n$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ ધાતુની સપાટી પર પડે છે ત્યારે સપાટી પરથી ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $v$ છે. જો આપાત આવૃત્તિ વધારીને $3n$ કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે?

આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $(\nu)$ વિરુદ્ધ મહત્તમ ગતિઊર્જા $(K.E._{max})$ નો આલેખ આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ છે. આલેખનો ઢાળ અને $X$-અક્ષ પરનો અંતઃછેદ અનુક્રમે શું છે?

નીચે આપેલા આલેખમાં,જો ઢાળ $4.12 \times 10^{-15} \ V-sec$ હોય,તો '$h$' નું મૂલ્ય કેટલું હોવું જોઈએ?

$300 \ nm$ તરંગલંબાઈ અને $1.0 \ W/m^2$ તીવ્રતા ધરાવતો પારજાંબલી પ્રકાશ એક ફોટો-સંવેદી પદાર્થની સપાટી પર આપાત થાય છે. જો આપાત ફોટોનમાંથી $1\%$ ફોટોન ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન કરતા હોય,તો સપાટીના $1.0 \ cm^2$ ક્ષેત્રફળમાંથી ઉત્સર્જાતા ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યા શોધો.