બે અલગ-અલગ આવૃત્તિઓ ધરાવતો પ્રકાશ,જેના ફોટોનની ઊર્જા અનુક્રમે $1 \text{ eV}$ અને $2.5 \text{ eV}$ છે,તે $0.5 \text{ eV}$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ પર વારાફરતી આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો થશે?

$4000 \,\mathring A$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ એક ફોટોસેન્સિટિવ ધાતુ પર પડે છે અને $2 \,V$ નો નેગેટિવ પોટેન્શિયલ ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનને અટકાવે છે. ધાતુનું વર્ક ફંક્શન ($eV$ માં) આશરે કેટલું હશે? $(h = 6.6 \times 10^{-34} \,Js, \,e = 1.6 \times 10^{-19} \,C, \,c = 3 \times 10^8 \,m/s)$

$\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ $\phi$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે, જેનાથી ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન થાય છે। ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે? (આપેલ છે: $c = \text{પ્રકાશનો વેગ}$, $h = \text{પ્લાન્કનો અચળાંક}$, $m = \text{ઇલેક્ટ્રોનનું દળ}$)

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માં,ધાતુની સપાટી પરથી ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા $(K.E.)$ શેના પર આધાર રાખે છે?

એક પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થ માટે, વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) $W_0$ છે અને સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ છે. આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઇ કેટલી હશે? ($h$ = પ્લાન્કનો અચળાંક, $c$ = પ્રકાશનો વેગ, $e$ = ઇલેક્ટ્રોનિક ચાર્જ)

જો બે ધાતુઓ $A$ અને $B$ ને $350 \, nm$ તરંગલંબાઈના વિકિરણના સંપર્કમાં લાવવામાં આવે છે. ધાતુઓ $A$ અને $B$ ના વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) અનુક્રમે $4.8 \, eV$ અને $2.2 \, eV$ છે. તો સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો.