તરંગલંબાઈ $\lambda$ ધરાવતો પ્રકાશ ફોટોઈલેક્ટ્રિક સપાટી પર આપાત થાય છે અને $E$ ઉર્જા સાથે ઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જો $E$ ને મૂળ મૂલ્ય કરતા બમણું કરવામાં આવે,તો તરંગલંબાઈ બદલાઈને $\lambda_1$ થાય છે. નીચેનામાંથી કયું સાચું છે?

$5.01 \, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી નિકલની સપાટી પર $200 \, nm$ ની અલ્ટ્રાવાયોલેટ પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત થતા સૌથી ઝડપી ફોટોઈલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે જરૂરી પોટેન્શિયલ તફાવત ............... $V$ હોવો જોઈએ.

જ્યારે કોઈ ધાતુની સપાટી પર ચોક્કસ આવૃત્તિનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે તેમાંથી ઉત્સર્જિત થતા ઇલેક્ટ્રોનને $3 \ V$ ના રિટાર્ડિંગ પોટેન્શિયલ દ્વારા સંપૂર્ણપણે અટકાવવામાં આવે છે. આ ધાતુની સપાટી પર ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસર $6 \times 10^{14} \ s^{-1}$ ની આવૃત્તિએ શરૂ થાય છે. આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $s^{-1}$ માં કેટલી હશે? [પ્લાન્કનો અચળાંક $= 6.4 \times 10^{-34} \ J \cdot s$,ઇલેક્ટ્રોન પરનો વીજભાર $= 1.6 \times 10^{-19} \ C$]

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક સપાટીને ક્રમશઃ $\lambda$ અને $(\lambda/3)$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા એકવર્ણી પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. જો બીજા કિસ્સામાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા પ્રથમ કિસ્સા કરતાં $4$ ગણી હોય, તો પદાર્થની સપાટીનું કાર્યવિધેય (work function) શોધો ($h$ = પ્લાન્કનો અચળાંક, $c$ = પ્રકાશની ઝડપ).

ધાતુઓનું કાર્ય વિધેય $Na = 1.92 \, eV, K = 2.15 \, eV, Mo = 4.17 \, eV, Ni = 5.0 \, eV$ આપેલ છે. આ ધાતુઓ પૈકી કઈ ધાતુ $He-Cd$ લેસરમાંથી $3300 \, \mathring{A}$ તરંગલંબાઈના ઉત્સર્જન માટે ફોટો-ઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન દર્શાવશે નહીં?

જો હાઇડ્રોજનની બામર શ્રેણીના પ્રકાશનો ઉપયોગ ધાતુમાંથી ફોટોઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત કરવા માટે કરવામાં આવે, તો ધાતુનું મહત્તમ વર્ક ફંક્શન કેટલું હોઈ શકે ($\text{ eV}$ માં)?