$5000 \; \mathring A$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ $1.9 \; eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ફોટોસેન્સિટિવ પ્લેટ પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા ............ $eV$ હશે.

નીચેના આલેખો આપેલ ધાતુ માટે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $(f)$ ને અનુરૂપ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_s)$ માં થતો ફેરફાર દર્શાવે છે. સાચો ફેરફાર કયા આલેખમાં દર્શાવેલ છે ($f_0 =$ થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ):

$4000 \,\mathring A$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ એક ફોટોસેન્સિટિવ ધાતુ પર પડે છે અને $2 \,V$ નો નેગેટિવ પોટેન્શિયલ ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનને અટકાવે છે. ધાતુનું વર્ક ફંક્શન ($eV$ માં) આશરે કેટલું હશે? $(h = 6.6 \times 10^{-34} \,Js, \,e = 1.6 \times 10^{-19} \,C, \,c = 3 \times 10^8 \,m/s)$

જો સોડિયમ માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $5420 \mathring{A}$ હોય,તો સોડિયમનું વર્ક ફંક્શન ............ $eV$ છે.

જ્યારે ધાતુની સપાટીને $\lambda_1$ અને $\lambda_2$ તરંગલંબાઇના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ અનુક્રમે $V$ અને $2V$ છે. ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) શોધો ($h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક,$c=$ પ્રકાશનો વેગ,$\lambda_1 > \lambda_2$).

તરંગલંબાઈ $\lambda$ ધરાવતો પ્રકાશ $\phi$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે અને ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરે છે. ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે? [આપેલ છે: $m=$ ઇલેક્ટ્રોનનું દળ,$h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક,$c=$ પ્રકાશનો વેગ]