નીચે આપેલા સંકીર્ણોને List-$I$ માંથી List-$II$ માં તેમની ઇલેક્ટ્રોનિક રચના સાથે જોડો.
List-$I$ (સંકીર્ણ)List-$II$ (ધાતુ/આયનની ઇલેક્ટ્રોનિક રચના)
$A. [Co(NH_3)_6]^{3+}$$I. t_{2g}^5 e_g^0$
$B. [CoF_6]^{3-}$$II. t_{2g}^6 e_g^0$
$C. [Ni(CO)_4]$$III. t_{2g}^4 e_g^2$
$D. [Fe(CN)_6]^{3-}$$IV. t^4 e^6$

  • A
    $A-II, B-III, C-IV, D-I$
  • B
    $A-III, B-IV, C-II, D-I$
  • C
    $A-IV, B-III, C-I, D-II$
  • D
    $A-II, B-I, C-IV, D-III$

Explore More

Similar Questions

$d^3$, $d^4$ (લો સ્પિન), $d^5$ (હાઈ સ્પિન), $d^6$ (હાઈ સ્પિન) અને $d^7$ (લો સ્પિન) અષ્ટફલકીય સંકીર્ણ પ્રણાલીઓમાં હાજર અયુગ્મિત ઇલેક્ટ્રોનની કુલ સંખ્યા . . . . . . છે.

નીચેનામાંથી કઈ સંકીર્ણ જોડીઓ માટે સ્ફટિક ક્ષેત્ર વિભાજન ઉર્જા $\Delta_0$ માટે $II > \Delta_0$ for $I$ થાય છે?
$I$ $II$
$(a). [Cr(H_2O)_6]^{2+}$ $[Cr(H_2O)_6]^{3+}$
$(b). [Fe(H_2O)_6]^{3+}$ $[Fe(CN)_6]^{3-}$
$(c). [Fe(CN)_6]^{3-}$ $[Ru(CN)_6]^{3-}$
$(d). [NiF_6]^{4-}$ $[NiF_6]^{2-}$

Difficult
View Solution

$d^{n}$ સંકલન સંયોજનોમાં ઇલેક્ટ્રોનનું વિતરણ ક્રિસ્ટલ ફિલ્ડ સ્પ્લિટિંગ $(\Delta_{0})$ અને પેરિંગ એનર્જી $(P)$ ના મૂલ્ય પર આધાર રાખે છે. હાઈ સ્પિન સંકિર્ણના નિર્માણ માટેની અનુકૂળ શરત કઈ છે?

વિધાન : પોટેશિયમ ફેરોસાયનાઈડ પ્રતિચુંબકીય છે,જ્યારે પોટેશિયમ ફેરીસાયનાઈડ અનુચુંબકીય છે.
કારણ : ફેરોસાયનાઈડ આયનમાં સ્ફટિક ક્ષેત્ર વિભાજન ફેરીસાયનાઈડ આયન કરતા વધારે હોય છે.

જો $\Delta_o < \text{pairing energy}$ હોય,તો $d^4$ ઇલેક્ટ્રોનિક રચના ધરાવતા અષ્ટફલકીય સંકીર્ણ માટે ધાતુના પરમાણુ/આયનની ઇલેક્ટ્રોનિક ગોઠવણી શું હશે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo