મેક્સવેલના સમીકરણો નીચેનામાંથી કોના મૂળભૂત નિયમોનું વર્ણન કરે છે?

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની અંદર,વિદ્યુતક્ષેત્ર $E$ સમય સાથે $t^2$ મુજબ બદલાય છે. પ્રેરિત ચુંબકીય ક્ષેત્રનો સમય સાથેનો ફેરફાર નીચેનામાંથી કયો છે?

એક કેપેસિટરની કેપેસિટન્સ $2 \ pF$ છે. જો કેપેસિટરની અંદરનું વિદ્યુતસ્થિતિમાન $10^{12} \ V \ s^{-1}$ ના દરે બદલાતું હોય,તો સ્થાનાંતર પ્રવાહ ..... $A$ છે.

$20 \; \mu F$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને એવા વોલ્ટેજ સ્ત્રોત દ્વારા ચાર્જ કરવામાં આવે છે જેનો પોટેન્શિયલ $3 \; V/s$ ના દરે બદલાય છે. કનેક્ટિંગ વાયરમાંથી વહેતો વહન પ્રવાહ (conduction current) અને કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનો સ્થાનાંતર પ્રવાહ (displacement current) અનુક્રમે કેટલો હશે?

$A = 16 \ cm^2$ ક્ષેત્રફળ અને $10 \ cm$ પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને $DC$ પ્રવાહ દ્વારા ચાર્જ કરવામાં આવે છે. કેપેસિટરની અંદર અને પ્લેટોને સમાંતર $A_0 = 3.2 \ cm^2$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી એક કાલ્પનિક સમતલ સપાટી ધ્યાનમાં લો. એક ક્ષણે,સર્કિટમાંથી વહેતો પ્રવાહ $6 \ A$ છે. તે જ ક્ષણે $A_0$ માંથી વહેતો સ્થાનાંતર પ્રવાહ . . . . . . $mA$ છે.

$R$ ત્રિજ્યા ધરાવતી ગોળાકાર પ્લેટો ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ ચાર્જ કરવામાં આવે છે. દર્શાવેલ ક્ષણે,પ્લેટો વચ્ચેના $\frac{R}{2}$ અને $R$ ની વચ્ચેના વિસ્તારમાં સ્થાનાંતર પ્રવાહ કેટલો હશે?