जब एक $P-N$ जंक्शन पर कोई बायस लागू नहीं किया जाता है,तो धारा:

थ्रेशोल्ड वोल्टेज क्या है? $Ge$ और $Si$ के लिए थ्रेशोल्ड वोल्टेज का मान लिखिए।

निम्नलिखित कथनों $A$ और $B$ पर विचार करें और दिए गए उत्तरों में से सही विकल्प की पहचान करें:
$A:$ $P-N$ जंक्शन डायोड में फॉरवर्ड बायस में अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई बढ़ जाती है।
$B:$ एक आंतरिक (intrinsic) अर्धचालक में,फर्मी ऊर्जा स्तर वर्जित अंतराल (forbidden gap) के ठीक बीच में होता है।

एक $p-n$ जंक्शन में, अवक्षय क्षेत्र (depletion region) में $5 \times 10^5 \ V/m$ का विद्युत क्षेत्र मौजूद है। $n$-साइड से $p$-साइड की ओर विसरित (diffuse) होने के लिए एक चालन इलेक्ट्रॉन की न्यूनतम गतिज ऊर्जा $3.2 \times 10^{-20} \ J$ पाई जाती है। अवक्षय क्षेत्र की चौड़ाई है,

एक p-n जंक्शन पर $0.4 \,V$ का विभव प्राचीर (potential barrier) मौजूद है। एक इलेक्ट्रॉन $n$-साइड से $6.0 \times 10^{5} \,ms^{-1}$ की गति से जंक्शन में प्रवेश करता है। जिस गति से इलेक्ट्रॉन $p$-साइड में प्रवेश करेगा,वह $\frac{x}{3} \times 10^{5} \,ms^{-1}$ है। $x$ का मान ............. है।
(दिया गया है: इलेक्ट्रॉन का द्रव्यमान $= 9 \times 10^{-31} \,kg$,इलेक्ट्रॉन पर आवेश $= 1.6 \times 10^{-19} \,C$.)

दिए गए परिपथ में,यदि डायोड के लिए फॉरवर्ड वोल्टेज ड्रॉप $0.5\, V$ है,तो धारा.........$mA$ होगी।