ધાતુની સપાટી પરથી આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $v_1$ અને $v_2$ $(v_1 > v_2)$ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન જોવા મળે છે. જો બંને કિસ્સાઓમાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર $1:k$ હોય,તો ધાતુની સપાટીની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી હશે?

$P$ પાવર ધરાવતા સ્ત્રોત દ્વારા ઉત્સર્જિત $\lambda$ તરંગલંબાઈના ફોટોન ફોટોસેલ પર આપાત થાય છે. જો સેલમાં ઉત્પન્ન થતો પ્રવાહ $I$ હોય,તો ફોટોસેલમાં પ્રવાહ ઉત્પન્ન કરતા આપાત ફોટોનની ટકાવારી કેટલી હશે? (જ્યાં $h$ પ્લાન્કનો અચળાંક છે અને $c$ શૂન્યાવકાશમાં પ્રકાશની ઝડપ છે)

જ્યારે $4.0 \; eV$ ઉર્જા ધરાવતો ફોટોન ધાતુ $A$ ની સપાટી પર અથડાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $T_{A} \; eV$ અને ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda_{A}$ છે. $4.50 \; eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન દ્વારા બીજી ધાતુ $B$ માંથી મુક્ત થતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $T_{B} = (T_{A} - 1.5) \; eV$ છે. જો આ ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda_{B} = 2 \lambda_{A}$ હોય,તો ધાતુ $B$ નું કાર્ય વિધેય ............. $eV$ છે.

જો બે ધાતુઓ $A$ અને $B$ ને $350 \, nm$ તરંગલંબાઈના વિકિરણના સંપર્કમાં લાવવામાં આવે છે. ધાતુઓ $A$ અને $B$ ના વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) અનુક્રમે $4.8 \, eV$ અને $2.2 \, eV$ છે. તો સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માટે એક ધાતુના કટ-ઓફ પોટેન્શિયલ $\lambda_1$,$\lambda_2$ અને $\lambda_3$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશ માટે $V_1$,$V_2$ અને $V_3$ વોલ્ટ મળે છે. જો $V_1$,$V_2$ અને $V_3$ સમાંતર શ્રેણી (Arithmetic Progression) માં હોય,તો $\lambda_1$,$\lambda_2$ અને $\lambda_3$ શેમાં હશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં,$\lambda$ અને $\frac{\lambda}{2}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા આપાત પ્રકાશ માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ અનુક્રમે $V_{1}$ અને $V_{2}$ માપવામાં આવ્યું હતું. $V_{1}$ અને $V_{2}$ વચ્ચેનો સંબંધ શું છે?