$7 \,eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન બે ધાતુઓ $A$ અને $B$ પર આપાત થાય છે,જેમના વર્ક ફંક્શન અનુક્રમે $6 \,eV$ અને $3 \,eV$ છે. મહત્તમ ગતિઊર્જા ધરાવતા ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની લઘુત્તમ ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ અનુક્રમે $\lambda_A$ અને $\lambda_B$ છે,તો $\lambda_A / \lambda_B$ નું મૂલ્ય આશરે કેટલું હશે?

એક ચોક્કસ ધાતુ માટે વર્ક ફંક્શન $4.2 \; eV$ છે. શું આ ધાતુ $330 \; nm$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા આપાત વિકિરણ માટે ફોટોઇલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન આપશે?

એલ્યુમિનિયમ અને ગોલ્ડના વર્ક ફંક્શન અનુક્રમે $4.1\,eV$ અને $5.1\,eV$ છે. ગોલ્ડ અને એલ્યુમિનિયમ માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ વિરુદ્ધ ફ્રીક્વન્સીના આલેખના ઢાળનો ગુણોત્તર $.......$ છે.

એક ચોક્કસ ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $3.31 \times 10^{-19} \,J$ છે। $5000 \text{ Å}$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા આપાત વિકિરણ દ્વારા ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે ($\text{ eV}$ માં)? (આપેલ છે: $h = 6.62 \times 10^{-34} \,J \cdot s$,$c = 3 \times 10^8 \,m/s$,$e = 1.6 \times 10^{-19} \,C$)

$v$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ એક નિશ્ચિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રિક પદાર્થ પર આપાત થાય છે,જેની થ્રેશોલ્ડ (દહેલી) આવૃત્તિ $v_0$ છે. પદાર્થ માટે કાર્ય વિધેય (Work Function) શું છે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના અવલોકનોના સંદર્ભમાં,નીચે આપેલા વિધાનોમાંથી સાચા વિધાનો ઓળખો:
$A.$ ફોટોઈલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગનો વર્ગ આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ સાથે રેખીય રીતે બદલાય છે.
$B.$ પ્રકાશના સ્ત્રોતને ધાતુની સપાટીથી દૂર લઈ જવાથી સેચ્યુરેશન પ્રવાહનું મૂલ્ય વધે છે.
$C.$ $LED$ (લાઈટ એમિટિંગ ડાયોડ) પ્રકાશ સ્ત્રોતની પાવર ઘટાડવાથી ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ઘટે છે.
$D.$ ધાતુની સપાટીમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ત્વરિત ઉત્સર્જન પ્રકાશ/વિદ્યુતચુંબકીય તરંગોના કણ સ્વરૂપ દ્વારા સમજાવી શકાતું નથી.
$E.$ થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈનું અસ્તિત્વ પ્રકાશ/વિદ્યુતચુંબકીય તરંગોના તરંગ સ્વરૂપ દ્વારા સમજાવી શકાતું નથી.
નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો: