અર્ધવાહક (semiconductor) ના સંદર્ભમાં નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?

ઇન્સ્યુલેટર્સ (અવાહકો) ના એનર્જી બેન્ડ ડાયાગ્રામમાં,બેન્ડ ગેપ અને કન્ડક્શન બેન્ડ અનુક્રમે કેવા હોય છે?

નીચેના વિધાનોને ધ્યાનપૂર્વક વાંચો:
$Y:$ તાપમાનમાં વધારો થતાં અર્ધવાહકની અવરોધકતા ઘટે છે.
$Z:$ વાહક ઘન પદાર્થમાં,તાપમાનમાં વધારો થતાં મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન અને આયનો વચ્ચેના અથડામણનો દર વધે છે.
નીચેનામાંથી સાચું વિધાન પસંદ કરો:

સોલિડ સ્ટેટ સેમિકન્ડક્ટર ઇલેક્ટ્રોનિક્સની ટૂંકી સમજૂતી આપો.

આ પ્રશ્નમાં વિધાન $1$ અને વિધાન $2$ આપેલ છે. વિધાનો પછી આપેલા ચાર વિકલ્પોમાંથી,જે બે વિધાનોનું શ્રેષ્ઠ વર્ણન કરે છે તે પસંદ કરો.
વિધાન $1$ : શુદ્ધ અર્ધવાહકનો અવરોધનો તાપમાન ગુણાંક ઋણ હોય છે.
વિધાન $2$ : તાપમાન વધારવાથી,વધુ વિદ્યુતભાર વાહકો કન્ડક્શન બેન્ડમાં મુક્ત થાય છે.

અર્ધવાહકની અવરોધકતા (Resistivity) શેના પર આધાર રાખે છે?