विभिन्न प्रकार के हाफ सेल का (frac{partial E} | vedclass

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Question

(C) तापमान के साथ $EMF$ में कम परिवर्तन वाले सेल को संदर्भ इलेक्ट्रोड के रूप में प्राथमिकता दी जाती है क्योंकि इसका उपयोग मानक मान से अधिक विचलन के बि

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$C$

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(C) तापमान के साथ $EMF$ में कम परिवर्तन वाले सेल को संदर्भ इलेक्ट्रोड के रूप में प्राथमिकता दी जाती है क्योंकि इसका उपयोग मानक मान से अधिक विचलन के बिना तापमान की एक विस्तृत श्रृंखला के लिए किया जा सकता है।इसलिए,$(\frac{\partial E}{\partial T})_P$ के न्यूनतम मान वाले सेल को प्राथमिकता दी जाती है।दिए गए मानों की तुलना करने पर: $A = 1 	imes 10^{-4}$,$B = 2 	imes 10^{-4}$,$C = 0.1 	imes 10^{-4}$,$D = 0.2 	imes 10^{-4}$।न्यूनतम मान $0.1 	imes 10^{-4}$ है,जो सेल $C$ के अनुरूप है।

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$25^{\circ} C$ पर $Zn_{(s)}|Zn_{(1M)}^{2+}| |Cd_{(1M)}^{2+}|Cd_{(s)}$ सेल के लिए $E_{cell}^o$ की गणना कीजिए,जहाँ $E_{Zn^{2+}/Zn}^{\circ} = -0.763 \ V$ और $E_{Cd^{2+}/Cd}^{\circ} = -0.403 \ V$ दिया गया है। ($V$ में)

निम्नलिखित अर्ध-सेलों द्वारा निर्मित सेल का $EMF$ $V$ में कितना होगा?
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फेरस आयन $(Fe^{2+})$ को निम्नलिखित में से किस आयन द्वारा ऑक्सीकृत किया जा सकता है?

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