એક $LED$ ના $V-I$ લાક્ષણિકતાઓ કયા આલેખ દ્વારા યોગ્ય રીતે દર્શાવવામાં આવી છે?

સોલર સેલ માટે વપરાતા પદાર્થનો બેન્ડ ગેપ કેટલો હોવો જોઈએ?

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે: એકને વિધાન $A$ (Assertion) તરીકે અને બીજાને કારણ $R$ (Reason) તરીકે લેબલ કરવામાં આવ્યું છે.
વિધાન $A$: પ્રકાશની તીવ્રતા માપવા માટે ફોટોડાયોડને રિવર્સ બાયસ સ્થિતિમાં ચલાવવામાં આવે છે.
કારણ $R$: $p-n$ જંકશન ડાયોડ માટે ફોરવર્ડ બાયસમાં પ્રવાહ રિવર્સ બાયસ કરતા વધારે હોય છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં,નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો:

$2.8 \ eV$ ના બેન્ડ ગેપ ધરાવતા સેમિકન્ડક્ટરથી એક $p-n$ જંકશન બનાવવામાં આવે છે. તે કઈ આશરે તરંગલંબાઈ શોધી શકતું નથી ($nm$ માં)?
[ $h = 6 \times 10^{-34} \ J \cdot s$ અને $c = 3 \times 10^8 \ m/s$ નો ઉપયોગ કરો ]

$LED$ વિશે નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

સોલર સેલ બનાવવા માટે યોગ્ય પદાર્થ કયો છે?