$p$-प्रकार के अर्धचालक का ग्राही स्तर (acceptor level) वैलेंस बैंड से $6 \ eV$ ऊपर है। प्रकाश की अधिकतम तरंगदैर्ध्य जो एक होल बना सकती है,वह होगी: (दिया गया है: $hc = 1242 \ eV \ nm$) ($nm$ में)

$500\, K$ पर शुद्ध $Si$ में इलेक्ट्रॉन $(n_e)$ और होल $(n_h)$ की सांद्रता समान है,जो $1.5 \times 10^{16} \, m^{-3}$ है। इंडियम द्वारा डोपिंग करने पर $n_h$ बढ़कर $4.5 \times 10^{22} \, m^{-3}$ हो जाता है। डोप किया गया अर्धचालक किस प्रकार का है?

$P$-प्रकार का जर्मेनियम अर्धचालक प्राप्त करने के लिए,इसे किसके साथ डोप किया जाना चाहिए?

अर्धचालक में एक धनात्मक होल (positive hole) क्या है?

यदि $N_A$ मिलाए गए स्वीकर्ता (acceptor) परमाणुओं का संख्या घनत्व है और $N_D$ एक अर्धचालक में मिलाए गए दाता (donor) परमाणुओं का संख्या घनत्व है,और $n_e$ तथा $n_h$ इसमें इलेक्ट्रॉनों और कोटरों (holes) का संख्या घनत्व है,तो:

एक शुद्ध अर्धचालक की प्रतिरोधकता $0.5 \ \Omega m$ है। यदि इलेक्ट्रॉन और होल की गतिशीलता क्रमशः $0.39 \ m^2 / V-s$ और $0.19 \ m^2 / V-s$ है,तो आंतरिक वाहक सांद्रता की गणना करें।