એક સેમિકન્ડક્ટરમાં બેન્ડ ગેપ $0.6 eV$ છે. આ સેમિકન્ડક્ટરમાં હોલ-ઇલેક્ટ્રોન જોડી બનાવવા માટે સક્ષમ ઇલેક્ટ્રોમેગ્નેટિક રેડિયેશનની મહત્તમ તરંગલંબાઇ કેટલી હશે ($nm$ માં)? [$hc = 1242 eV-nm$ નો ઉપયોગ કરો]

  • A
    $2450$
  • B
    $1150$
  • C
    $2070$
  • D
    $1050$

Explore More

Similar Questions

પરિપથ અને આલેખ દોરીને $p-n$ જંકશન ડાયોડની ફોરવર્ડ અને રિવર્સ લાક્ષણિકતાઓ સમજાવો.

કઈ આકૃતિમાં જંકશન ડાયોડ ફોરવર્ડ બાયસ્ડ (forward biased) છે?

આપેલ આકૃતિમાં,દરેક ડાયોડનો ફોરવર્ડ બાયસ અવરોધ $30\, \Omega$ છે અને રિવર્સ બાયસમાં અનંત અવરોધ છે. પ્રવાહ ${I}_{1}$ કેટલો $....\,A$ હશે?

બધા ડાયોડ આદર્શ છે. ડાયોડ $D_1$ અને $D_2$ ની વચ્ચે જોડાયેલા $2\,\Omega$ ના અવરોધમાં વહેતો પ્રવાહ કેટલો છે ($,A$ માં)?

Difficult
View Solution

આપેલ પરિપથમાં વિદ્યુતપ્રવાહ $0.1 \ A$ છે. $P-N$ જંકશનનો અવરોધ .... $\Omega$ છે.

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo