$p$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં ચાર્જ કેરિયર્સ (વીજભાર વાહકો) કયા છે?

ધારો કે શુદ્ધ $Si$ સ્ફટિકમાં $5 \times 10^{28}$ અણુઓ $m^{-3}$ છે. તેને $1 \text{ ppm}$ સાંદ્રતા ધરાવતા પંચસંયોજક $As$ વડે ડોપિંગ કરવામાં આવે છે. ઈલેક્ટ્રોન અને હોલની સંખ્યા ગણો. $(n_i = 1.5 \times 10^{16} \text{ m}^{-3})$

આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં ડોપિંગ શા માટે કરવામાં આવે છે?

બહિર્ગત અર્ધવાહકમાં હોલ અને ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા ઘનતા અનુક્રમે ${N_p}$ અને ${N_e}$ છે. તો:

$p$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં,નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

બાહ્ય (extrinsic) સેમિકન્ડક્ટર માટે,જ્યારે ડોપિંગનું સ્તર વધારવામાં આવે છે ત્યારે: