નીચેનામાંથી કયા પ્રકારના પદાર્થોમાં બેન્ડ ગેપ સૌથી વધુ હોય છે?

જર્મેનિયમ અને સિલિકોનમાં બેન્ડ ગેપ $eV$ માં અનુક્રમે કેટલો છે?

સિલિકોનનો એનર્જી ગેપ $1.1 \, eV$ છે. કેટલી તરંગલંબાઈએ સિલિકોન ફોટોનનું શોષણ કરવાનું બંધ કરશે? ($\mathring A$ માં)

અર્ધવાહક (semiconductor) માટે નીચેનામાંથી કયા વિધાનો સાચા છે?
$(i)$ $0\, K$ તાપમાને કોઈ મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન હોતા નથી.
$(ii)$ કોઈપણ તાપમાને મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન હોતા નથી.
$(iii)$ તાપમાન વધવાની સાથે મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા વધે છે.
$(iv)$ મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા વાહક (conductor) કરતા ઓછી હોય છે.

જો આ સેમિકન્ડક્ટરનો લેટીસ અચળાંક ઘટાડવામાં આવે,તો નીચેનામાંથી કયું સાચું છે?

હીરા, સિલિકોન અને જર્મેનિયમ માટે વેલેન્સ બેન્ડ અને કન્ડક્શન બેન્ડ વચ્ચેના એનર્જી ગેપ $(E_g)$ નો ક્રમ કયો છે?