શુદ્ધ અર્ધવાહકની વાહકતા શેના દ્વારા વધારી શકાય છે?

ધારો કે શુદ્ધ $Si$ સ્ફટિકમાં $5 \times 10^{28}$ અણુઓ $m^{-3}$ છે. તેને $1 \text{ ppm}$ સાંદ્રતા ધરાવતા પંચસંયોજક $As$ વડે ડોપિંગ કરવામાં આવે છે. ઈલેક્ટ્રોન અને હોલની સંખ્યા ગણો. $(n_i = 1.5 \times 10^{16} \text{ m}^{-3})$

એક સેમિકન્ડક્ટરની ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની મોબિલિટી અનુક્રમે $\mu_{n}$ અને $\mu_{p}$ છે. જો તેની આંતરિક કેરિયર ઘનતા $n_{i}$ હોય,તો આપેલ તાપમાને વાહકતા ન્યૂનતમ હોય તે માટે હોલ સાંદ્રતા $p$ નું મૂલ્ય શું હશે?

જો $n_{e}$ અને $n_{h}$ એ અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા હોય,તો ઉષ્મીય સંતુલનમાં આંતરિક વાહક સાંદ્રતા $(n_i)$ કેટલી થાય?

જ્યારે અર્ધવાહકમાં અશુદ્ધિના પરમાણુઓની થોડી માત્રા ઉમેરવામાં આવે છે, ત્યારે સામાન્ય રીતે તેની અવરોધકતા:

આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં ડોપિંગ શા માટે કરવામાં આવે છે?