સિલિકોન ડાયોડ માટે કટ-ઇન વોલ્ટેજ આશરે $V$ છે.

$P-N$ જંકશન ડાયોડમાં,જો $P$ વિસ્તાર $n$ વિસ્તાર કરતા વધુ ડોપ્ડ (heavily doped) હોય,તો ડેપ્લેશન લેયર:

ફોરવર્ડ બાયસ દરમિયાન ડાયોડની વોલ્ટેજ-કરંટ લાક્ષણિકતા $I = 7.8 \times 10^{-5} e^{6.5 V_D}$ દ્વારા આપવામાં આવે છે, જ્યાં $I$ એ $mA$ માં કરંટ છે અને $V_D$ એ $V$ માં ડાયોડ વોલ્ટેજ છે. જ્યારે કરંટ $4 \ mA$ હોય ત્યારે ડાયોડનો ડાયનેમિક અવરોધ $\Omega$ માં શોધો.

એક $p-n$ જંકશન ડાયોડને $5.5\, V$ ના $emf$ ધરાવતી બેટરી અને $5.1\, k\Omega$ ના બાહ્ય અવરોધ સાથે જોડવામાં આવે છે. ડાયોડમાં બેરિયર પોટેન્શિયલ $0.4\, V$ છે. પરિપથમાં વહેતો પ્રવાહ શોધો.

નીચેના સર્કિટમાં $PN$-જંકશન ડાયોડ $D_1, D_2$ અને $D_3$ આદર્શ છે. $A$ અને $B$ ના નીચેના પોટેન્શિયલ માટે,$A$ અને $B$ વચ્ચેના અવરોધનો સાચો વધતો ક્રમ કયો હશે?
$(i) V_A = -10\,V, V_B = -5\,V$
$(ii) V_A = -4\,V, V_B = -12\,V$

જ્યારે $p-n$ જંકશનને રિવર્સ બાયસ આપવામાં આવે છે, ત્યારે તે . . . . . . .