અર્ધવાહક (semiconductor) માં તાપમાન વધવાથી કન | vedclass

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(C) અર્ધવાહકમાં,જેમ તાપમાન વધે છે,તેમ ઇલેક્ટ્રોનને મળતી ઉષ્મીય ઉર્જા વધે છે. આના કારણે વધુ ઇલેક્ટ્રોન એનર્જી બેન્ડ ગેપને ઓળંગીને વેલેન્સ બેન્ડમાંથી કન

Vedclass · Accepted Answer

$n_e$ વધે છે,અવરોધ ઘટે છે

Vedclass · Answer

(C) અર્ધવાહકમાં,જેમ તાપમાન વધે છે,તેમ ઇલેક્ટ્રોનને મળતી ઉષ્મીય ઉર્જા વધે છે. આના કારણે વધુ ઇલેક્ટ્રોન એનર્જી બેન્ડ ગેપને ઓળંગીને વેલેન્સ બેન્ડમાંથી કન્ડક્શન બેન્ડમાં જાય છે. પરિણામે,કન્ડક્શન બેન્ડમાં ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા $(n_e)$ વધે છે. અર્ધવાહકની વાહકતા એ ચાર્જ કેરિયર્સની સંખ્યાના સીધા પ્રમાણમાં હોવાથી,વાહકતા વધે છે. અવરોધ એ વાહકતાના વ્યસ્ત પ્રમાણમાં હોવાથી,અર્ધવાહકનો અવરોધ ઘટે છે.

અર્ધવાહક (semiconductor) માં તાપમાન વધવાથી કન્ડક્શન બેન્ડમાં રહેલા ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા $(n_e)$ અને અવરોધ (resistance) પર શું અસર થશે?

Similar Questions

આંતરિક (intrinsic) અર્ધવાહક કયા તાપમાને અવાહક બની જાય છે?

અવાહકોની વિદ્યુત વાહકતા કેટલી હોય છે?

જર્મેનિયમ સ્ફટિક (સેમિકન્ડક્ટર) માં બંધન કેવા પ્રકારનું હોય છે?

$0 \,K$ તાપમાને $Ge$ સ્ફટિક માટે ફોરબિડન એનર્જી ગેપ (અવરોધક ઉર્જા ગાળો) કેટલો હોય છે ($\,eV$ માં)?

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module