જાંબલી (તરંગલંબાઈ $= 4000 \, \mathring{A}$) $LED$ ઉત્પન્ન કરવા માટે જરૂરી અર્ધવાહક પદાર્થનો એનર્જી બેન્ડ ગેપ $....... \, \text{eV}$ છે. (નજીકના પૂર્ણાંકમાં રાઉન્ડ ઓફ કરો).

સોલર સેલ માટે વપરાતા પદાર્થનો બેન્ડ ગેપ કેટલો હોવો જોઈએ?

સોલર સેલ માટે $Si$ અને $GaAs$ ને શા માટે પસંદગીના પદાર્થો માનવામાં આવે છે?

કયા પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર ઉપકરણને કોઈ બાયસ વોલ્ટેજની જરૂર પડતી નથી?

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે: એકને વિધાન $A$ તરીકે અને બીજાને કારણ $R$ તરીકે લેબલ કરવામાં આવ્યું છે.
વિધાન $A:$ ફોટોડાયોડનો ઉપયોગ સામાન્ય રીતે પ્રકાશની તીવ્રતા માપવા માટે ફોરવર્ડ બાયસમાં થાય છે.
કારણ $R:$ $p-n$ જંકશન ડાયોડ માટે, લાગુ કરેલ વોલ્ટેજ $V$ પર, $|V_z| > |V| \geq V_0$ માટે ફોરવર્ડ બાયસમાં પ્રવાહ રિવર્સ બાયસ કરતા વધારે હોય છે, જ્યાં $V_0$ એ થ્રેશોલ્ડ વોલ્ટેજ છે અને $V_z$ એ બ્રેકડાઉન વોલ્ટેજ છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં, નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો.

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે: એકને વિધાન $A$ (Assertion) તરીકે અને બીજાને કારણ $R$ (Reason) તરીકે લેબલ કરવામાં આવ્યું છે.
વિધાન $A$: પ્રકાશની તીવ્રતા માપવા માટે ફોટોડાયોડને રિવર્સ બાયસ સ્થિતિમાં ચલાવવામાં આવે છે.
કારણ $R$: $p-n$ જંકશન ડાયોડ માટે ફોરવર્ડ બાયસમાં પ્રવાહ રિવર્સ બાયસ કરતા વધારે હોય છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં,નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો: