$Ge$ में वर्जित ऊर्जा अंतराल (forbidden energy gap) $0.72\,eV$ है। दिया गया है,$hc = 12400\,eV\cdot\mathring{A}$। इलेक्ट्रॉन-होल युग्म उत्पन्न करने के लिए आवश्यक विकिरण की अधिकतम तरंगदैर्ध्य ..........$\mathring{A}$ है।

सॉलिड स्टेट सेमीकंडक्टर इलेक्ट्रॉनिक्स की संक्षिप्त व्याख्या कीजिए।

कथन $(A)$: जब एल्युमीनियम के एक तार और सिलिकॉन के एक अन्य तार को कमरे के तापमान से $80^{\circ} C$ तक गर्म किया जाता है,तो एल्युमीनियम की चालकता घटती है और सिलिकॉन की चालकता बढ़ती है।
कारण $(R)$: एल्युमीनियम का प्रतिरोधकता ताप गुणांक धनात्मक होता है और सिलिकॉन का प्रतिरोधकता ताप गुणांक ऋणात्मक होता है।

अर्धचालक के प्रतिरोध का ताप गुणांक:

$0 \ K$ तापमान पर,जर्मेनियम का एक टुकड़ा:

प्राथमिक अर्धचालकों (elementary semiconductors) का इलेक्ट्रॉनिक विन्यास लिखकर उनकी क्रिस्टलीय संरचना को समझाइए।