$p-n$ जंक्शन डायोड में अवक्षय परत (depletion region) की चौड़ाई में वृद्धि का कारण है

  • A
    अग्र धारा (forward current) में वृद्धि
  • B
    केवल अग्र अभिनति (forward bias)
  • C
    केवल पश्च अभिनति (reverse bias)
  • D
    अग्र अभिनति और पश्च अभिनति दोनों

Explore More

Similar Questions

निम्नलिखित कथनों $A$ और $B$ पर विचार करें और दिए गए उत्तरों में से सही विकल्प की पहचान करें:
$A:$ $P-N$ जंक्शन डायोड में फॉरवर्ड बायस में अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई बढ़ जाती है।
$B:$ एक आंतरिक (intrinsic) अर्धचालक में,फर्मी ऊर्जा स्तर वर्जित अंतराल (forbidden gap) के ठीक बीच में होता है।

फॉरवर्ड बायस में $P-N$ जंक्शन में विद्युत धारा के प्रवाह का कारण क्या है?

सिलिकॉन डायोड के लिए कट-इन वोल्टेज लगभग $V$ है।

$p-n$ जंक्शन को कब और क्यों फॉरवर्ड बायस कहा जाता है? इस बायस के अंतर्गत होने वाले परिवर्तनों का वर्णन कीजिए।

एक जंक्शन डायोड का प्रतिरोध फॉरवर्ड बायस में $25 \Omega$ और रिवर्स बायस में $2500 \Omega$ है। दिखाए गए परिपथ के लिए डायोड में प्रवाहित धारा होगी

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo