પ્રકાશ તરંગ સાથે સંકળાયેલ ચુંબકીય ક્ષેત્ર ઉગમબિંદુ પર $B = B_0 [\sin(3.14 \times 10^7 ct) + \sin(6.28 \times 10^7 ct)]$ દ્વારા આપવામાં આવે છે. જો આ પ્રકાશ $4.7 \ eV$ નું વર્ક ફંક્શન ધરાવતી સિલ્વર પ્લેટ પર પડે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે? ($eV$ માં)

જો ફોટોસેલથી $0.2 \ m$ અંતરે રાખેલા ઉદ્ગમ દ્વારા ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનનો સ્ટોપિંગ વોલ્ટેજ $0.6 \ V$ હોય,તો તે જ ઉદ્ગમને $0.6 \ m$ અંતરે રાખતા ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનનો સ્ટોપિંગ વોલ્ટેજ .......... $V$ થશે.

બે અલગ-અલગ આવૃત્તિઓ ધરાવતો પ્રકાશ,જેના ફોટોનની ઊર્જા અનુક્રમે $1.3 eV$ અને $2.8 eV$ છે,તે $0.8 eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

જ્યારે કોઈ ધાતુની સપાટીને $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા એકવર્ણી પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ માટેનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $4 V_0$ છે. જ્યારે તે જ સપાટીને $3 \lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ છે. આ સપાટી માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

એક ચોક્કસ ધાતુમાંથી થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ $v$ પર ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન થાય છે. જો $4v$ આવૃત્તિનું વિકિરણ ધાતુની પ્લેટ પર આપાત કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે? ($m=$ ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું દળ,$h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક)

સોડિયમ પર ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $5000\;\mathring{A}$ છે. તેનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) કેટલું હશે?