જ્યારે આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ $\lambda$ હોય ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $E$ છે. જો આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ ઘટાડીને $\frac{\lambda}{3}$ કરવામાં આવે,તો મહત્તમ ગતિઊર્જા $4E$ થાય છે. તો ધાતુનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) કેટલું હશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં જો પ્રકાશની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ

બે અલગ કરેલા એકરંગી પ્રકાશ પુંજો $A$ અને $B$ જેમની તીવ્રતા સમાન છે,જેમને ધાત્વીય પૃષ્ઠ પર એકમ ક્ષેત્રફળ દીઠ લંબ રીતે આપાત કરવામાં આવે છે. તેમની તરંગલંબાઈ અનુક્રમે $\lambda_A$ અને $\lambda_B$ છે. આપાત પ્રકાશ ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત કરવા માટે સક્ષમ છે. પુંજ $A$ અને $B$ દ્વારા ઉત્સર્જિત ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યાનો ગુણોત્તર કેટલો થશે?

$10 eV$ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોન $2 \times 10^{15} Hz$ ની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ ધરાવતી પ્રકાશસંવેદી સપાટી પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા $eV$ માં કેટલી હશે ($eV$ માં)? [પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.63 \times 10^{-34} Js$]

એક ચોક્કસ ધાતુની સપાટી માટે ફોટોઇલેક્ટ્રિક થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ $3600 \mathring A$ છે. જો ધાતુની સપાટી પર $1100 \mathring A$ ની તરંગલંબાઇ આપાત કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા કેટલી હશે ($\text{ eV}$ માં)?

જ્યારે આપાત વિકિરણની ઊર્જામાં $20 \%$ નો વધારો કરવામાં આવે છે,ત્યારે ધાતુની સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિ ઊર્જા $0.5 \ eV$ થી વધીને $0.8 \ eV$ થાય છે. ધાતુનું વર્ક ફંક્શન કેટલું હશે ($eV$ માં)?