મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની ગતિશીલતા મુક્ત હોલ્સ કરતા વધારે હોય છે કારણ કે

જો સેમિકન્ડક્ટરમાં ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા અને હોલ્સની સાંદ્રતાનો ગુણોત્તર $\frac{7}{5}$ હોય અને પ્રવાહનો ગુણોત્તર $\frac{7}{4}$ હોય,તો તેમના ડ્રિફ્ટ વેગનો ગુણોત્તર કેટલો થાય?

$P$ પ્રકારનો અર્ધવાહક તૈયાર કરવા માટે $Si$ ના નમૂનામાં ઇન્ડિયમ અશુદ્ધિ ઉમેરવામાં આવે છે. આ અર્ધવાહકમાં $Si$ ના $5 \times 10^7$ પરમાણુદીઠ ઇન્ડિયમનો એક પરમાણુ ઉમેરેલ છે. $Si$ ના નમૂનાની પરમાણુઘનતા $5 \times 10^{28} \text{ પરમાણુ/m}^3$ છે,તો સિલિકોનના $1 \text{ cm}^3$ ના સમઘનમાં એક્સેપ્ટરના કેટલા પરમાણુ હશે?

આંતરિક અર્ધવાહકના રિકોમ્બિનેશન સહગુણક (recombination coefficient) ને સમજાવો અને સંબંધ $n_i^2 = n_e n_h$ મેળવો.

આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટર માટે, જો $n_h$ અને $n_e$ અનુક્રમે એકમ કદ દીઠ હોલ્સની સંખ્યા અને એકમ કદ દીઠ મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા દર્શાવતા હોય, તો:

$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોનમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સમાન સાંદ્રતા $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. જો હોલની સાંદ્રતા વધીને $3 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય,તો સિલિકોનમાં ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા કેટલી હશે?