એક ગોલીય હવા કેપેસિટરનો બહારનો ગોળો અર્થિંગ કરેલો છે. તેની કેપેસિટન્સ વધારવા માટે:

એક કેપેસિટર બેટરી સાથે જોડાયેલ હોય ત્યારે $60 \ \mu C$ વિદ્યુતભાર સંગ્રહિત કરે છે. જ્યારે પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં ડાયઇલેક્ટ્રિક ભરવામાં આવે છે,ત્યારે બેટરીમાંથી $120 \ \mu C$ વિદ્યુતભાર વહે છે. જો કેપેસિટરનું પ્રારંભિક કેપેસિટન્સ $2 \ \mu F$ હોય,તો ડાયઇલેક્ટ્રિક દાખલ કરવામાં આવે ત્યારે ઉત્પન્ન થતી ઉષ્મા ... $\mu J$ છે.

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની બે પ્લેટોની વચ્ચે અને તેમને સમાંતર એક તાંબાની શીટ મૂકવામાં આવે છે,જે પ્લેટોને સ્પર્શતી નથી. તાંબાની શીટ દાખલ કર્યા પછી કેપેસિટરની કેપેસીટન્સ:

બે બિંદુવત વિદ્યુતભારોને હવામાં $r$ જેટલા અંતરે રાખવામાં આવે છે. તેમની વચ્ચેનું બળ $F_1$ છે. જો તેમની વચ્ચેની જગ્યાનો અડધો ભાગ $K=4$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયલેક્ટ્રિકથી ભરવામાં આવે,તો તેમની વચ્ચેનું બળ $F_2$ થાય છે. જો તેમની વચ્ચેની જગ્યાનો $1/3$ ભાગ $K=9$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયલેક્ટ્રિકથી ભરવામાં આવે,તો ગુણોત્તર $F_1/F_2$ કેટલો થાય?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને બેટરી સાથે અવરોધરહિત સર્કિટમાં જોડવામાં આવે છે જ્યાં સુધી કેપેસિટર સંપૂર્ણ ચાર્જ ન થાય. ત્યારબાદ બેટરીને સર્કિટમાંથી દૂર કરવામાં આવે છે અને ઇન્સ્યુલેટેડ ગ્લવ્સનો ઉપયોગ કરીને કેપેસિટરની પ્લેટોને તેમની મૂળ અંતર કરતા અડધા અંતરે ખસેડવામાં આવે છે. ધારો કે $V_{new}$ એ પ્લેટો ખસેડ્યા પછી કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત છે અને $V_{old}$ એ જ્યારે તે બેટરી સાથે જોડાયેલું હતું ત્યારે કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત છે. ગુણોત્તર $\frac{V_{new}}{V_{old}}$ શોધો.

$A$ પ્લેટ ક્ષેત્રફળ અને $d$ પ્લેટ અંતર ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $4 \, \mu F$ છે. જો તેમની વચ્ચેની અડધી જગ્યા $K = 3$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થથી ભરવામાં આવે (આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ),તો સિસ્ટમનું નવું કેપેસિટન્સ .........$ \mu F$ થશે.