પોટેશિયમ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ (વર્ક ફંક્શન $2 \ eV$ છે) ........... $nm$ છે.

જ્યારે $v$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ ધાતુ પર પડે છે ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. નીચેનામાંથી ખોટું વિધાન પસંદ કરો:

બે અલગ-અલગ ફોટોઈલેક્ટ્રિક સપાટીઓ $A$ અને $B$ માટે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $(\nu)$ ના વિધેય તરીકે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_s)$ નો આલેખ દોરવામાં આવ્યો છે. આલેખ દર્શાવે છે કે $A$ નું કાર્ય વિધેય (work function) એ

એક ચોક્કસ પ્રયોગમાં ફોટોઈલેક્ટ્રિક કટ-ઓફ વોલ્ટેજ $1.5 \ V$ છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે?

ધાતુનું કાર્ય વિધેય ......... છે.

$v$ આવૃત્તિ ધરાવતો પ્રકાશ $v_0$ થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ ધરાવતી સપાટી પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કોના સમપ્રમાણમાં હોય છે?