निर्वात डायोड (vacuum diode) के डायनेमिक प्लेट प्रतिरोध $(r_p)$ और स्पेस चार्ज लिमिटेड क्षेत्र में प्लेट धारा $(I_p)$ के बीच का संबंध क्या है?

  • A
    $r_p \propto I_p$
  • B
    $r_p \propto I_p^{3/2}$
  • C
    $r_p \propto \frac{1}{I_p}$
  • D
    $r_p \propto \frac{1}{I_p^{1/3}}$

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एक ट्रायोड वाल्व के परिपथ में,जब प्लेट विभव को $200 \ V$ से बढ़ाकर $220 \ V$ किया जाता है और ग्रिड विभव को $-0.5 \ V$ से घटाकर $-1.3 \ V$ किया जाता है,तो प्लेट धारा में कोई परिवर्तन नहीं होता है। इस वाल्व का प्रवर्धन गुणांक (amplification factor) है

एक ट्रायोड का प्रवर्धन गुणांक (amplification factor) $20$ है। यदि ग्रिड विभव को $0.2\, V$ कम कर दिया जाए,तो प्लेट धारा को स्थिर रखने के लिए इसके प्लेट विभव में कितने वोल्ट की वृद्धि की जानी चाहिए?

एक ट्रायोड का प्लेट वोल्टेज $200 \, V$ से बढ़ाकर $225 \, V$ कर दिया जाता है। प्लेट धारा को बनाए रखने के लिए,ग्रिड वोल्टेज में $5 \, V$ से $5.75 \, V$ तक के परिवर्तन की आवश्यकता होती है। प्रवर्धन गुणांक (amplification factor) है:

स्पेस चार्ज लिमिटेड क्षेत्र में डायोड का प्लेट अभिलक्षणिक वक्र चित्र में दर्शाया गया है। बिंदु $P$ पर वक्र की ढाल $5.0 \, mA/V$ है। डायोड का स्थैतिक (static) प्लेट प्रतिरोध ...... $\Omega$ होगा।

एक ट्रायोड वाल्व के अभिलक्षणिक वक्रों के रैखिक भाग निम्नलिखित रीडिंग देते हैं। प्लेट प्रतिरोध ....... $\Omega$ है।
$V_g$ (वोल्ट)$0$$-2$$-4$$-6$
$I_p$ (mA) $V_p = 150$ $V$ के लिए$15$$12.5$$10$$7.5$
$I_p$ (mA) $V_p = 120$ $V$ के लिए$10$$7.5$$5$$2.5$

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