દ્રશ્યમાન LEDs ના નિર્માણ માટે વપરાતા સેમિકન્ડક્ટરનો બેન્ડ ગેપ ઓછામાં ઓછો કેટલો હોવો જોઈએ ($eV$ માં)?

કયા પ્રકારના $p-n$ જંકશન ડાયોડને કોઈ પણ પ્રકારના બાયસ (bias) ની જરૂર પડતી નથી?

વિધાન: $P-N$ જંકશન ડાયોડનો ઉપયોગ પ્રકાશની તીવ્રતા માપવા માટે રિવર્સ બાયસમાં કરવામાં આવે છે.
કારણ: રિવર્સ બાયસ સ્થિતિમાં,પ્રવાહ ઓછો હોય છે પરંતુ તે આપાત પ્રકાશની તીવ્રતામાં થતા ફેરફારો પ્રત્યે વધુ સંવેદનશીલ હોય છે.

$LED$ માં દ્રશ્ય પ્રકાશ શેના દ્વારા ઉત્પન્ન થાય છે?

નીચેના વિધાનો ધ્યાનમાં લો $:$
$A.$ સોલર સેલનો જંકશન વિસ્તાર ફોટોડાયોડની સરખામણીમાં ખૂબ મોટો રાખવામાં આવે છે.
$B.$ સોલર સેલ કોઈ પણ બાહ્ય બાયસ સાથે જોડાયેલા હોતા નથી.
$C.$ $\text{LED}$ એ હેવીલી ડોપ્ડ (વધારે અશુદ્ધિ ઉમેરેલા) $p-n$ જંકશનથી બનેલી હોય છે.
$D.$ ફોરવર્ડ કરંટમાં વધારો થવાથી $\text{LED}$ ની પ્રકાશ તીવ્રતામાં સતત વધારો થાય છે.
$E.$ પ્રકાશના ઉત્સર્જન માટે $\text{LED}$ ને ફોરવર્ડ બાયસમાં જોડવી આવશ્યક છે.
કયા વિધાનો સાચા છે?

વિધાન $(A)$: $Si$ અને $GaAs$ એ સોલર સેલ માટે પસંદગીના પદાર્થો છે.
કારણ $(R)$: આ બંને પદાર્થોના એનર્જી બેન્ડ ગેપ સૌર વર્ણપટમાં મહત્તમ સૌર વિકિરણને અનુરૂપ ઉર્જા સ્તર કરતા ઘણા નીચે છે.