सिलिकॉन में एक दाता (donor) की विशिष्ट आयनन ऊर्जा .....$eV$ है।

यदि $n_{e}$ और $n_{h}$ फॉस्फोरस के साथ भारी मात्रा में डोप किए गए अर्धचालक में क्रमशः इलेक्ट्रॉनों और होल्स की संख्या हैं,तो:

एक $P-$प्रकार के अर्धचालक में,

$500\,K$ पर शुद्ध $Si$ में इलेक्ट्रॉन $(n_e)$ और होल $(n_h)$ की सांद्रता समान है,जो $1.5 \times 10^{16}\,m^{-3}$ है। इंडियम द्वारा डोपिंग करने पर $n_h$ बढ़कर $4.5 \times 10^{22}\,m^{-3}$ हो जाता है। डोप किया गया अर्धचालक किस प्रकार का है?

$\text{एक आंतरिक अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों की सांद्रता } 6 \times 10^{15} \,m^{-3} \text{ है। अशुद्धि मिलाने पर इलेक्ट्रॉन सांद्रता बढ़कर } 4 \times 10^{22} \,m^{-3} \text{ हो जाती है। तापीय साम्यावस्था में, डोपित अर्धचालक में होल्स की सांद्रता क्या होगी?}$

एक अर्धचालक में इलेक्ट्रॉन और होल की सांद्रता समान $6 \times 10^8 \, m^{-3}$ है। एक निश्चित अशुद्धि के साथ डोपिंग करने पर,इलेक्ट्रॉन सांद्रता बढ़कर $9 \times 10^{12} \, m^{-3}$ हो जाती है। नई होल सांद्रता क्या है?