नीचे दो कथन दिए गए हैं:
$A$. जब एक $p-n$ जंक्शन डायोड पर फॉरवर्ड बायस वोल्टेज एक निश्चित थ्रेशोल्ड वोल्टेज से ऊपर बढ़ता है, तो डायोड करंट काफी बढ़ जाता है।
$B$. इस करंट को रिवर्स सैचुरेशन करंट कहा जाता है।
नीचे दिए गए विकल्पों में से सही उत्तर चुनें:

आदर्श डायोड मानकर,चित्र में दिए गए परिपथ के लिए आउटपुट वेवफॉर्म खींचिए। वेवफॉर्म की व्याख्या कीजिए।

सिलिकॉन डायोड का $V-I$ अभिलक्षण चित्र में दर्शाया गया है। $(a) \; I_{D} = 15 \, mA$ और $(b) \; V_{D} = -10 \, V$ पर डायोड का प्रतिरोध ज्ञात कीजिए।

डायोड $D_1$ के लिए,फॉरवर्ड बायस प्रतिरोध $20 \ \Omega$ है और रिवर्स बायस प्रतिरोध $600 \ \Omega$ है। डायोड $D_2$ के लिए,फॉरवर्ड बायस प्रतिरोध $30 \ \Omega$ है और रिवर्स बायस प्रतिरोध $200 \ \Omega$ है। $A$ और $B$ के बीच तुल्य प्रतिरोध ज्ञात कीजिए यदि $(i)$ $A$ उच्च विभव पर है और $(ii)$ $B$ उच्च विभव पर है।

निम्नलिखित कथनों के संदर्भ में कौन सा सही है? $n$ से $p$-साइड की ओर इलेक्ट्रॉनों के विसरण (diffusion) के कारण:
$I$. अवक्षय (depletion) क्षेत्र में इलेक्ट्रॉन जमा हो जाते हैं।
$II$. इलेक्ट्रॉन ड्रिफ्ट धारा $p$-साइड से $n$-साइड की ओर होती है।
$III$. $n$-क्षेत्र में एक आयनित दाता (donor) शेष रह जाता है।
$IV$. $n$-साइड के इलेक्ट्रॉन $p$-साइड में आते हैं और $p$-साइड में इलेक्ट्रॉन-होल संयोजन होता है।
निम्नलिखित में से सही विकल्प चुनें।

परिपथ में दर्शाया गया डायोड एक सिलिकॉन डायोड है। बिंदुओं $A$ और $B$ के बीच विभवांतर .....$V$ होगा।