પેરિંગ એનર્જી $(P)$ એટલે શું? હાઈ સ્પિન અને લો સ્પિન અષ્ટફલકીય સંકીર્ણોમાં $d^n$ ($n=1$ થી $10$) ઈલેક્ટ્રોનની ગોઠવણી સમજાવો.

(N/A) પેરિંગ એનર્જી $(P)$ એ એક જ કક્ષકમાં બે ઈલેક્ટ્રોનને જોડવા માટે જરૂરી ઉર્જા છે.
અષ્ટફલકીય સંકીર્ણમાં,$d$-કક્ષકો $t_{2g}$ (ઓછી ઉર્જા) અને $e_g$ (વધારે ઉર્જા) સેટમાં વિભાજિત થાય છે.
$d^1, d^2, d^3$ ગોઠવણી માટે,હુન્ડના નિયમ મુજબ ઈલેક્ટ્રોન $t_{2g}$ કક્ષકોમાં એકલા ભરાય છે.
$d^4$ થી $d^7$ ગોઠવણી માટે,વિતરણ એ ક્રિસ્ટલ ફિલ્ડ સ્પ્લિટિંગ એનર્જી $(\Delta_0)$ અને પેરિંગ એનર્જી $(P)$ ના સાપેક્ષ મૂલ્યો પર આધાર રાખે છે:
$(i)$ જો $\Delta_0 < P$ (નિર્બળ ફિલ્ડ લિગાન્ડ્સ),તો પેરિંગ માટે જરૂરી ઉર્જા એ $e_g$ લેવલમાં ઈલેક્ટ્રોન મોકલવા માટેની ઉર્જા કરતા વધારે હોય છે. આના પરિણામે હાઈ સ્પિન સંકીર્ણો બને છે (દા.ત.,$d^4$ એ $t_{2g}^3 e_g^1$ છે).
$(ii)$ જો $\Delta_0 > P$ (પ્રબળ ફિલ્ડ લિગાન્ડ્સ),તો પેરિંગ માટે જરૂરી ઉર્જા એ ઈલેક્ટ્રોન મોકલવા માટેની ઉર્જા કરતા ઓછી હોય છે. આના પરિણામે લો સ્પિન સંકીર્ણો બને છે (દા.ત.,$d^4$ એ $t_{2g}^4 e_g^0$ છે).
$d^8, d^9, d^{10}$ ગોઠવણી માટે,લિગાન્ડ ફિલ્ડની શક્તિને ધ્યાનમાં લીધા વિના હુન્ડના નિયમ મુજબ $t_{2g}$ અને $e_g$ કક્ષકો ભરાય છે.