જ્યારે બેટરીને ધાતુના તાર વડે $P$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર સાથે જોડવામાં આવે છે,ત્યારે સેમિકન્ડક્ટરમાં (મુખ્યત્વે),ધાતુના તારની અંદર અને બેટરીની અંદરનો પ્રવાહ અનુક્રમે કયા ચાર્જ કેરિયર્સને કારણે હોય છે?

$P$-પ્રકારના અર્ધવાહકમાં,એક્સેપ્ટર (Acceptor) ઊર્જાસ્તરો $E_A$ ક્યાં આવેલા હોય છે?

અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોનને મેજોરિટી ચાર્જ કેરિયર તરીકે મેળવવા માટે,કઈ અશુદ્ધિ ઉમેરવામાં આવે છે?

ધારો કે $5 \times 10^{28} \text{ atoms/m}^3$ ધરાવતા $Si$ સ્ફટિકમાં $1 \text{ ppm}$ સાંદ્રતાના $As$ નું ડોપિંગ કરીને $n$-ટાઈપ વેફર બનાવવામાં આવે છે. આ વેફરમાં $p$-વિસ્તાર બનાવવા માટે સપાટી પર $200 \text{ ppm}$ બોરોન ઉમેરવામાં આવે છે. $n_i = 1.5 \times 10^{16} \text{ m}^{-3}$ ધ્યાનમાં લઈને,$(i)$ $n$ અને $p$ વિસ્તારોમાં વિદ્યુતભાર વાહકોની ઘનતા ગણો. $(ii)$ જ્યારે ડાયોડ રિવર્સ બાયસમાં હોય ત્યારે કયા વિદ્યુતભાર વાહકો રિવર્સ સેચ્યુરેશન કરંટમાં મોટો ફાળો આપશે તે જણાવો.

નીચે આપેલી અશુદ્ધિઓમાંથી કઈ અશુદ્ધિ ત્રિસંયોજક (trivalent) નથી?

જર્મેનિયમ સ્ફટિકને $P-$પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં રૂપાંતરિત કરવા માટે ઉમેરવામાં આવતી અશુદ્ધિની સંયોજકતા કેટલી હોય છે?